N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
汕头华汕电子器件有限公司
对应国外型号
FQPF6N90C
HFF6N90
█ 主要用途
█ 外形图及引脚排列
高速开关应用。
TO-220F
█ 极限值(Ta=25℃)
Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150℃
Tj——结温……………………………………………………… 150℃
VDSS——漏极—源极电压………………………………………900V
VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V
ID——漏极电流(Tc=25℃)……………………………………6.0A
IDM——漏极电流(脉冲)(注1)…………………………………24A
PD——耗散功率(Tc=25℃)…………………………………56W
1
1―栅 极G
2―漏 极D
3―源 极S
█ 电参数(Ta=25℃)
参数符号
符 号 说 明
最小值 典型值 最大值 单 位
测 试 条 件
BVDSS
IDSS
漏—源极击穿电压
900
V
ID=250μA ,VGS=0V
10
μA VDS =900V,VGS=0
零栅压漏极电流
栅极泄漏电流
±100 nA
VGS=±30V , VDS =0V
VDS = VGS , ID =250μA
IGSS
2.5
4.5
V
Ω
栅—源极开启电压
VGS(th)
1.95
1550
145
15
2.4
2010
190
20
VGS=10V, ID =3.0A
RDS(on) 漏—源极导通电阻
Ciss
pF
输入电容
输出电容
VDS =25V, VGS=0,f=1MHz
Coss
Crss
td(on)
tr
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
A
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
40
80
VDS =450V,
ID =6.0A (峰值)
RG= 25 Ω(注2)
120
60
240
120
140
45
td(off)
tf
断开延迟时间
下降时间
70
VDS =720V
Qg
35
栅极总电荷
Qgs 栅极—源极电荷
Qgd 栅极—漏极电荷
VGS=10V
10
ID=6.0A(注2)
13
Is
源极—漏极二极管正向电流
源极—漏极二极管导通电压
6.0
1.4
VSD
V
IS =6.0A , VGS=0
℃/W
Rth(j-c) 热阻
2.25
结到外壳
*注1:漏极电流受最大结温限制。
*注2:脉冲测试,宽度≤300μS,占空比≤2%