Datasheet > HFF11N60S

HFF11N60S

更新时间： 2024-11-13 17:01:19

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		/
页数	文件大小	规格书
5页	606K
描述
TO-220F

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HFF11N60S 数据手册

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

FCPF11N60NT

HFF11N60S

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。

TO-220F

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………………… -55~150℃

T_j——结温……………………………………………………… 150℃

V_DSS——漏极—源极电压………………………………………600V

V_GS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V

I_D——漏极电流（T_c=25℃）……………………………………10.8A

I_DM——漏极电流（脉冲）（注 1）………………………………32.4A

P_D——耗散功率（T_c=25℃）………………………………………32.1W

1―栅极G

2―漏极D

3―源极S

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BVDSS

IDSS

漏—源极击穿电压

零栅压漏极电流

栅极泄漏电流

600

V ID=250μA，VGS=0

μA VDS=600V，VGS=0

nA VGS=±30V，VDS=0

V VDS=VGS，ID=250μA

Ω VGS=10V，ID=5A

1.0

±100

IGSS

VGS（th）栅—源极开启电压

RDS（on）漏—源极导通电阻

2.0

4.0

0.75

Ciss

Coss

Crss

输入电容

1130 1505

输出电容

pF VDS=100V，VGS=0，f=1MHz

反向传输电容

Td（on）导通延迟时间

Td（off）断开延迟时间

13.6 37.2

9.1 28.2

上升时间

VDD=380V，ID=5.4A

RG=4.7Ω（注2）

下降时间

栅极总电荷

27.4 35.6

VDS=380V,

Qgs

Qgd

栅极—源极电荷

4.9

8.8

10.8

1.2

3.9

VGS=10V，

栅极—漏极电荷

ID=5.4A（注2）

源极—漏极二极管正向电流

源极—漏极二极管导通电压

VSD

V IS=5.4A，VGS=0

℃/W 结到外壳

Rth(j-c) 热阻

*注1：漏极电流受最大结温限制。

*注2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2%

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与HFF11N60S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HFF12N60	HUASHAN	获取价格	TO-220F
HFF2N60	HUASHAN	获取价格	N-Channel MOSFET
HFF2N65	HUASHAN	获取价格	TO-220F
HFF3N80	HUASHAN	获取价格	TO-220F
HFF4N60	HUASHAN	获取价格	TO-220F
HFF4N65	HUASHAN	获取价格	TO-220F
HFF5N50	HUASHAN	获取价格	TO-220F
HFF5N60	HUASHAN	获取价格	TO-220F
HFF630	HUASHAN	获取价格	N-Channel MOSFET
HFF640	HUASHAN	获取价格	N-Channel MOSFET