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HER308G

更新时间: 2024-09-25 20:21:51
品牌 Logo 应用领域
SURGE 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 1693K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

HER308G 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.6
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:EFFICIENCY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.7 V
JEDEC-95代码:DO-201ADJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:125 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.075 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

HER308G 数据手册

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