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HER207GPT

更新时间： 2024-02-20 21:24:26
品牌 Logo 应用领域
力勤 - CHENMKO 功效
页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

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HER207GPT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向电流：5 µA
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

HER207GPT 数据手册

 浏览型号HER207GPT的Datasheet PDF文件第2页 
HER201GPT  
THRU  
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD  
GLASS PASSIVATED  
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 - 1000 Volts CURRENT 2.0 Amperes  
HER208GPT  
FEATURES  
* Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
* Low power loss, high efficiency  
* Low leakage  
* High current capability  
* High speed switching  
DO-15  
* High current surge  
* High reliability  
* Glass passivated junction  
* High temperature soldering guaranteed :  
260oC/10 seconds at terminals  
0.034(0.9)  
DIA.  
0.028(0.7)  
1.0(25.4)  
MIN.  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-15 molded plastic  
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: Indicated by cathode band  
Weight: 0.35 gram  
0.300(7.6)  
0.230(5.8)  
0.140(3.6)  
DIA.  
0.104(2.6)  
1.0(25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 HZ, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
DO-15  
MAXIMUM RATINGES ( At TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
SYMBOL  
VRRM  
HER201GPTHER202GPTHER203GPTHER204GPTHER206GPTHER207GPTHER208GPT UNITS  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
VRMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current at TA = 50oC  
IO  
2.0  
60  
Amps  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
CJ  
30  
20  
pF  
oC  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( At TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
HER201GPTHER202GPTHER203GPT HER204GPTHER206GPTHER207GPTHER208GPT UNITS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2.0 A DC  
VF  
1.0  
1.3  
5.0  
1.5  
1.70  
Volts  
Maximum DC Reverse Current  
uAmps  
at Rated DC Blocking Voltage at TA = 25oC  
IR  
Maximum Full Load Reverse Current Average,  
100  
uAmps  
Full Cycle 0.375" (9.5mm) lead length at TL = 55oC  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
trr  
50  
70  
nSec  
2001-6  
NOTES : 1. Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts  
2. Test Conditions : IF = 0.5 A, IR = -1.0 A, IRR = -0.25 A  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HER207-GT3 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15, LEAD FREE, PLASTIC P
HER207G-T3 WTE

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HER207G-T3-LF WTE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLAS
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 		2.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE
HER207G-TB-LF WTE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLAS
HER207GT-G COMCHIP

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 		High Efficiency Rectifiers
HER207H13 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15,

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