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HER105G

更新时间: 2024-10-28 22:55:11
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乐山 - LRC 二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
1A HIGH EFFICIENCY GPP DIODES

HER105G 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.19Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-50 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

HER105G 数据手册

 浏览型号HER105G的Datasheet PDF文件第2页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
HER101(G) – HER108(G)  
1A  
1A HIGH EFFICIENCY GPP DIODES  
Maximum Average  
Rectified Current  
@ Half-Wave  
Maximum Forward  
Peak Surge Current  
@ 8.3ms  
Maximum  
Package  
Maximum  
Reverse  
Maximum  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum  
Forward  
Voltage  
TYPE  
Dimensions  
Reverse Current  
@ PRV @ TA=25ºC  
Recovery Time  
Resistive Load 60Hz  
Superimposed  
@ TA=25ºC  
PRV  
V PK  
I O @ T L  
I FM (Surge)  
A PK  
IR  
I FM  
V FM  
V PK  
Trr  
ns  
AAV  
ºC  
µAdc  
A PK  
HER101(G) 50  
HER102(G) 100  
HER103(G) 200  
HER104(G) 300  
HER105(G) 400  
HER106(G) 600  
HER107(G) 800  
HER108(G) 1000  
1.00  
1.00  
1.00  
1.30  
1.30  
1.85  
1.85  
1.85  
DO – 41  
1.0  
50  
30  
5.0  
1.0  
50  
70  
Trr  
I F=0.5A, I R=1.0A, I RR=0.25A  
Trr Test Conditions: I F=0.5A, I R=1.0A, I RR=0.25A  
.205(5.2)  
.166(4.2)  
1.0(25.4)  
MIN  
1.0(25.4)  
MIN  
.034(0.9)  
.028(0.7)  
DIA  
.107(2.7)  
DIA  
.080(2.0)  
DO – 41  
41A–1/2  

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