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HER101G

更新时间： 2024-10-28 22:55:11

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乐山 - LRC		二极管功效
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2页	62K
描述
1A HIGH EFFICIENCY GPP DIODES

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HER101G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

HER101G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

HER101(G) – HER108(G)

1A HIGH EFFICIENCY GPP DIODES

Maximum Average

Rectified Current

@ Half-Wave

Maximum Forward

Peak Surge Current

@ 8.3ms

Maximum

Package

Maximum

Reverse

Maximum

Peak Reverse

Voltage

Maximum

Forward

Voltage

TYPE

Dimensions

Reverse Current

@ PRV @ T_A=25ºC

Recovery Time

Resistive Load 60Hz

Superimposed

@ T_A=25ºC

PRV

V _PK

I _O@ T _L

I _FM(Surge)

A _PK

I_R

I _FM

V _FM

V _PK

Trr

A_AV

ºC

µAdc

A _PK

HER101(G) 50

HER102(G) 100

HER103(G) 200

HER104(G) 300

HER105(G) 400

HER106(G) 600

HER107(G) 800

HER108(G) 1000

1.00

1.30

1.85

DO – 41

1.0

5.0

1.0

Trr

I _F=0.5A, I _R=1.0A, I _RR=0.25A

Trr Test Conditions: I _F=0.5A, I _R=1.0A, I _RR=0.25A

.205(5.2)

.166(4.2)

1.0(25.4)

MIN

1.0(25.4)

MIN

.034(0.9)

.028(0.7)

DIA

.107(2.7)

DIA

.080(2.0)

DO – 41

41A–1/2

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