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HEP32C

更新时间： 2024-11-13 17:00:51

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TO-200AB

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HEP32C 数据手册

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R

汕汕子器件有限公司

国外型号

HEP32 系列

TIP32系列

█ 主要用途

█ 外形及引脚排列

中功率性开关（与HEP31 系列互）

█ 极限（T_a=25℃）

TO-220AB

T_stg— — 存温度⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -55~150℃

T_j— — 温⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 150℃

P_C— — 集极功率耗散（ T_c=25℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 40W

P_C— — 集极功率耗散（T_a=25℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 2W

V_CBO— — 集极— 基极

、V_CEO— — 集极— 射极

HEP32⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -40V

HEP 32A⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -60V

HEP 32B⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -80V

HEP32C⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -100V

⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -5V

1―基极，B

2―集极，C

3― 射极，E

V_EBO— — 射极— 基极

I_C— — 集极流（DC）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -3A

I_C— — 集极流（脉冲）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -5A

I_B— — 基极流⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -1A

█ 参数（T_a=25℃）

参数符号

BV_CEO（sus）

符号

明

最小

-40

典型

最大

位

条件

I_C=-30mA, I_B=0

^*HEP32

集极— 射极持

-60

-80

HEP32A

HEP32B

HEP32C

-100

I_CEO

集极— 射极截止流

HEP32/32A

-0.3

V_CE=-30V, I_B=0

V_CE=-60V, I_B=0

-0.3

-200

-1

HEP32B/32C

集极— 射极截止流HEP32

HEP32A

I_CES

μA V_CE=-40V, V_EB=0

μA V_CE=-60V, V_EB=0,

μA V_CE=-80V, V_EB=0,

μA V_CE=-100V, V_EB=0,

HEP32B

HEP32C

I_EBO

h_FE

V_EB=-5V, I_C=0

射极— 基极截止流

直流流增益^*

V_CE=-4V, I_C=-1A

V_CE=-4V, I_C=-3A

I_C=-3A, I_B=-375mA

V_CE=-4V, I_C=-3A

V_CE（sat）

V_BE(on)

f_T

-1.2

-1.8

集极— 射极和

基极— 射极通

特征率

3.0

MHz V_CE=-10V, I_C=-500mA,

f=1MHz

*脉冲

：脉 ≤ 300μs，占空比≤ 2%。

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