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HEC4505BDB

更新时间: 2024-09-26 21:19:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 125K
描述
IC 64 X 1 STANDARD SRAM, 660 ns, CDIP14, Static RAM

HEC4505BDB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:660 nsJESD-30 代码:R-GDIP-T14
内存密度:64 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:14
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64X1
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最小待机电流:3 V
最大供电电压 (Vsup):15 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

HEC4505BDB 数据手册

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