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HD74LS670FP-E

更新时间: 2024-11-06 14:50:47
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
4 X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO16, FP-16DA

HD74LS670FP-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:16
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.55
最长访问时间:45 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e6长度:10.06 mm
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:-20 °C组织:4X4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:5.5 mm
Base Number Matches:1

HD74LS670FP-E 数据手册

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