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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP5/6,.08 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.31.00.01 | 风险等级： | 5.56 |
| 系列： | HCT | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 2 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | INVERTER |
| 最大I（ol）： | 0.002 A | 功能数量： | 1 |
| 输入次数： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP5/6,.08 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 31 ns | 传播延迟（tpd）： | 31 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 1.25 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD74HCT1G04CME-E | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, CMPAK-5 |
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| HD74HCT1G08 | RENESAS |
获取价格 |
2?input AND Gate |
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| HD74HCT1G08CME | RENESAS |
获取价格 |
2?input AND Gate |
|
| HD74HCT1G08-EL | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5, CMPAK-5 |
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| HD74HCT1G14 | RENESAS |
获取价格 |
Inverter with Schmitt-trigger Input |
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| HD74HCT1G14CME | RENESAS |
获取价格 |
Inverter with Schmitt-trigger Input |
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| HD74HCT1G14CME-E | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, CMPAK-5 |
|
| HD74HCT1G14-EL | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, CMPAK-5 |
|
| HD74HCT1G32 | RENESAS |
获取价格 |
High Speed CMOS two input OR gate Using Silicon Gate CMOS Process |
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| HD74HCT1G32CME | RENESAS |
获取价格 |
High Speed CMOS two input OR gate Using Silicon Gate CMOS Process |
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