是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SON |
包装说明: | VSOF, FL6,.047,20 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
系列: | ALVC/VCX/A | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 1.6 mm |
负载电容(CL): | 30 pF | 逻辑集成电路类型: | XOR GATE |
最大I(ol): | 0.024 A | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VSOF | 封装等效代码: | FL6,.047,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE |
包装方法: | TAPE AND REEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | Prop。Delay @ Nom-Sup: | 3 ns |
传播延迟(tpd): | 8 ns | 认证状态: | Not Qualified |
施密特触发器: | NO | 座面最大高度: | 0.6 mm |
子类别: | Gates | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 1.2 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HD74ALVC1G86VS-E | HITACHI |
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XOR Gate, ALVC/VCX/A Series, 1-Func, 2-Input, CMOS, PDSO5, VSON-5 | |
HD74ALVC1G86VSE-E | RENESAS |
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ALVC/VCX/A SERIES, 2-INPUT XOR GATE, PDSO5, VSON-5 | |
HD74ALVC1G86VS-EL | RENESAS |
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ALVC/VCX/A SERIES, 2-INPUT XOR GATE, PDSO5, VSON-5 | |
HD74ALVC2G00 | RENESAS |
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Dual 2-input NAND Gates | |
HD74ALVC2G00US | RENESAS |
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ALVC/VCX/A SERIES, DUAL 2-INPUT NAND GATE, PDSO8, SSOP-8 | |
HD74ALVC2G00US | HITACHI |
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NAND Gate, ALVC/VCX/A Series, 2-Func, 2-Input, CMOS, PDSO8, SSOP-8 | |
HD74ALVC2G00USE | RENESAS |
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Dual 2-input NAND Gates | |
HD74ALVC2G00US-E | RENESAS |
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ALVC/VCX/A SERIES, DUAL 2-INPUT NAND GATE, PDSO8, SSOP-8 | |
HD74ALVC2G00USE-E | RENESAS |
获取价格 |
ALVC/VCX/A SERIES, DUAL 2-INPUT NAND GATE, PDSO8, SSOP-8 | |
HD74ALVC2G02 | RENESAS |
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Dual 2-input NOR Gates |