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HD553

更新时间： 2024-09-22 17:01:15

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TO_220

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HD553 数据手册

N P N S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

2SD553

HD553

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

功率放大，大电流开关应用(与HB553 互补)

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度…………………………………… -55~150℃

T_j——结温…………………………………………………150℃

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）…………………………40W

V_CBO——集电极—基极电压…………………………………70V

V_CEO——集电极—发射极电压……………………………50V

V_EBO——发射极—基极电压…………………………………5V

I_C——集电极电流………………………………………………7A

I_B——基极电流…………………………………………………1A

█ 电参数（T_a=25℃）

1―基极，B

2―集电极，C

3―发射极，E

参数符号

I_CBO

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

V_CB=70V, I_E=0

集电极—基极截止电流

μA

I_EBO

BV_CEO

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

发射极—基极截止电流

集电极—发射极击穿电压

直流电流增益

μA

V_EB=5V, I_C=0

I_C=50mA, I_B=0

V_CE=1V, I_C=1A

V_CE=1V, I_C=4A

I_C=4A, I_B=0.4A

240

直流电流增益

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极饱和电压

特征频率

0.2

0.9

0.4

1.2

MHz V_CE=4V, I_C=1A

C_ob

共基极输出电容

导通时间

250

0.2

2.5

0.5

V_CB=10V, I_E=0, f=1.0 MHz

t_on

μs

t_s

载流子贮存时间

下降时间

I_B1=-I_B2=0.3A,

V_CE=30V

t_f

█ h_FE(1)分档及其标志

70—140

120—240

12 3

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