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HD3401

更新时间： 2024-09-19 01:24:39

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Plastic-Encapsulate MOSFET

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HD3401 数据手册

HD3401

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET

P -Channel MOSFET

roduct Summary

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

SOT- 23

@-10V

65m

@-4.5V

75mΩ

-30

-4.2A

@-2.5V

90mΩ

Features

●

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

● High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

●

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

Applications

●

Load/Power Switching

Interfacing Switching

Marking:

●

Value

Symbol

Parameter

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-30

±12

Continuous Drain Current

-4.2

Power Dissipation

P_D

350

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t<5s)

Junction Temperature

R_θJA

T_J

357

150

Storage Temperature

T_STG

-55~+150

℃

igh Diode Semiconductor

12 3 4 5

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