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HD3400

更新时间： 2024-09-19 01:24:39

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描述
Plastic-Encapsulate MOSFET

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HD3400 数据手册

HD3400

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFET

N -Channel MOSFET

roduct Summary

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

SOT- 23

@ 10V

35m

40mΩ 4.5V

5.8A

52mΩ 2.5V

Features

z High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

●

Applications

●

Load/Power Switching

Interfacing Switching

Marking:

●

Unit

Parameter

Symbol

Value

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±12

5.8

Continuous Drain Current

Drain Current-Pulsed (note 1)

Power Dissipation

I_DM

P_D

350

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2)

Junction Temperature

R_θJA

T_J

357

150

Storage Temperature

T_STG

-55~+150

℃

igh Diode Semiconductor

12 3 4 5

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