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HD313

更新时间： 2024-11-07 05:35:03

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	111K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HD313 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HD313

█ APPLICATIONS

Low Frequency Power Amplifier.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-220

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 30W

P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）………………… 1.75W

V_CBO——Collector-Base Voltage……………………………60V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 60V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 5V

I_C——Collector Current……………………………………… 3A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter, E

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

ICEO

ICBO

IEBO

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

5 mA V_CE=60V, I_B=0

0.1 mA V_CB=60V, I_E=0

1 mA V_EB=4V, I_C=0

HFE（1^）DC Current Gain

HFE（2^）DC Current Gain

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

320

V_CE=2V, I_C=1A

V_CE=2V, I_C=0.1A

I_C=2A, I_B=0.2A

0.4 1

VBE

Cob

Base-Emitter Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

1.2 V V_CE=2V, I_C=1A

MHz V_CE=5V, I_C=0.5A,

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

█ hFE Classification

60—120

100—200

160—320

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