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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HD19006000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HD19008000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block, |
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| HD19009000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HD1900C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HD-1900M3-CH | HRS |
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3 dB 90∑ Card Couplers |
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| HD1A3M | NEC |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A3M-AY | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,60V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| HD1A3M-AZ | RENESAS |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A3M-T1-AZ | RENESAS |
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on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching |
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| HD1A3M-T2 | NEC |
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1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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