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HD122

更新时间： 2024-11-30 23:14:59

品牌	Logo	应用领域
HSMC		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	43K
描述
NPN EPITAXIAL SILION DARLINGTON TRANSISTOR

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HD122 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

HD122 数据手册

Spec. No. : Preliminary Data

Issued Date : 1998.12.01

Revised Date : 2000.10.01

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HD122

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

Description

The HD122 is designed for medium power linear and switching

applications.

(Ta=25°C)

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150 °C

Junction Temperature ................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 40 W

• Maximum Voltages and Currents

BVCBO Collector to Base Voltage.................................................................................... 100 V

BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 100 V

BVEBO Emitter to Base Voltage........................................................................................... 5 V

IC Collector Current.............................................................................................................. 4 A

IC Collector Current (Pulse) .............................................................................................. 0.1 A

(Ta=25°C)

Electrical Characteristics

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

*BVCEO

BVEBO

ICEO

ICBO

IEBO

*VCE(sat)1

*VCE(sat)2

*VBE(on)

*hFE1

100

IC=1mA

IC=100mA

IE=100uA

VCE=50V

VCB=100V

VBE=5V

IC=1.5A, IB=30mA

IC=2A, IB=40mA

IC=3A, VCE=3V

IC=0.5A, VCE=3V

IC=3A, VCE=3V

2.5

2.8

2.5

1000

*hFE2

*Pulse Test : Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HSMC Product Specification

12 3 4

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