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HCU106D/M

更新时间： 2024-11-04 17:01:55

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TO-251

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HCU106D/M 数据手册

Silicon Controlled Rectifier

对应国外型号

汕头华汕电子器件有限公司

HCU106D/M

MC106D/M ONC106D/M

█ 主要用途

灵敏型单向可控硅, 用于继电器与灯控制、小型马达控制、较大晶闸管的门极

驱动、传感与检测电路等

█ 极限值（T_a=25℃）

█ 外形图及引脚排列

T_stg——贮存温度 ……………………………………………………… -40~150℃

T_j——结温 ……………………………………………………………… -40~110℃

V_DRM/ V_RRM——重复峰值断态电压 HCU106D, HCU106D1 ……………… 400V

HCU106M, HCU106M1 ……………… 600V

IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）……………………………………… 4A

IT（AV）—— 通态电流（平均值）…………………………………………… 2.55A

ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复,T_j= 110 °C) ……… 20A

V_RGM—反向峰值门极电压 ……………………………………………………… 6V

I_FGM——正向峰值门极电流(脉冲宽度≤1.0 μsec, T_c=80℃)………………… 0.2A

P_GM——峰值门极功耗(脉冲宽度≤1.0 μsec, T_c=80℃)…………………………0.5W

P_G(AV)——平均门极功耗(脉冲宽度≤1.0 μsec, T_c=80℃)……………………0.1W

█ 电参数（T_C=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

IDRM

IRRM

重复峰值断态电流

V_AK=V_DRM或V_RRM, RKG=1000 ohm

Tc=25℃

100

2.2

Tc=110℃

VTM

IGT

VGT

峰值通态电压（1）

门极触发电流（2）

门极触发电压（2）

IFM=1.0A (HC106D/M)

IFM=4.0A (HC106D1/M1)

V_AK=6V, R_L=100 ohm,Tc=25℃

200

500

Tc=-40℃

V_AK=6V, R_L=100 ohm

Tc=25℃

0.4

0.5

0.6 0.8

0.7 1.0

Tc=-40℃

V_AK=12V, R_L=100 ohm,Tc=110℃

V_GD

I_H

门极不触发电压（2） 0.2

维持电流

V_AK=12V，门极开路

Tc=25℃

Tc=-40℃

0.4

0.55

3.0

6.0

V_AK=12V, I_G=20mA

I_L

擎住电流

5.0

7.0

Tc=25℃

Tc=-40℃

Rth(j-c) 热阻

Rth(j-a) 热阻

3.5

℃/W 结到外壳

℃/W 结到环境

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