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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.74 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NOR GATE | 最大I（ol）： | 0.0048 A |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 26 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 筛选级别： | 38535V;38534K;883S | 子类别： | Gates |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 总剂量： | 1M Rad(Si) V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HCTS02DMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
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| HCTS02HMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
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| HCTS02K | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
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| HCTS02K/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, QUAD 2-INPUT NOR GATE, CDFP14 |
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| HCTS02KMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
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| HCTS02MS | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
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| HCTS04D | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Hex Inverter |
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| HCTS04D/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, CDIP14, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14 |
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| HCTS04DMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Hex Inverter |
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| HCTS04HMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Hex Inverter |
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