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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.004 A | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 26 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | 38535V;38534K;883S |
| 子类别： | Gates | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 总剂量： | 1M Rad(Si) V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HCTS00DMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate |
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| HCTS00HMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate |
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| HCTS00K | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate |
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| HCTS00K/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 |
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| HCTS00KMSH | RENESAS |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,CMOS, RAD HARD,FP,14PIN,CERAMIC |
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| HCTS00KMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate |
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| HCTS00MS | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate |
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| HCTS02D | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
|
| HCTS02DMSH | RENESAS |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,CMOS, RAD HARD,DIP,14PIN,CERAMIC |
|
| HCTS02DMSR | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Quad 2-Input NOR Gate |
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