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HCS10HMSR PDF预览

HCS10HMSR

更新时间： 2024-09-25 09:22:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 输入元件逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 181K
描述
HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, UUC14, 2.20 X 2.24 MM, DIE-14

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HCS10HMSR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：DIE,针数：14
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.73系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-XUUC-N14逻辑集成电路类型：NAND GATE
功能数量：3输入次数：3
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP传播延迟（tpd）：22 ns
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER总剂量：200k Rad(Si) V
Base Number Matches：1

HCS10HMSR 数据手册

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HCS10MS  
Radiation Hardened  
Triple 3-Input NAND Gate  
September 1995  
Features  
Pinouts  
14 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-183S CDIP2-T14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
• Total Dose 200K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day  
(Typ)  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC  
13 C1  
12 Y1  
11 C3  
10 B3  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (SI)/s 20ns Pulse  
• Cosmic Ray Upset Immunity < 2 x 10-9 Errors/Gate Day (Typ)  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
A2  
B2  
C2  
Y2  
9
8
A3  
Y3  
GND  
• Military Temperature Range: -55oC to +125oC  
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs  
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V  
14 LEAD CERAMIC METAL SEAL FLATPACK PACKAGE  
(FLATPACK) MIL-STD-183S CDFP3-F14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• Input Logic Levels  
A1  
B1  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
VCC  
C1  
Y1  
- VIL = 30% of VCC Max  
- VIH = 70% of VCC Min  
A2  
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH  
B2  
C3  
B3  
A3  
Y3  
C2  
Description  
Y2  
The Intersil HCS10MS is a Radiation Hardened Triple 3-Input  
NAND Gate. A high on all inputs forces the output to a Low state.  
GND  
8
The HCS10MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to  
achieve high-speed operation. This device is a member of  
radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.  
Functional Diagram  
An  
(1, 3, 9)  
The HCS10MS is supplied in a 14 lead Ceramic flatpack (K suffix)  
or a SBDIP Package (D suffix).  
Bn  
Yn  
(12, 6, 8)  
(2, 4, 10)  
Ordering Information  
Cn  
(5, 11, 13)  
PART  
NUMBER  
TEMPERATURE SCREENING  
RANGE LEVEL  
TRUTH TABLE  
INPUTS  
PACKAGE  
OUTPUTS  
o
o
HCS05DMSR  
HCS05KMSR  
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead SBDIP  
An  
L
Bn  
L
Cn  
L
Yn  
H
H
H
H
H
H
H
L
o
o
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
L
L
H
L
L
H
H
L
o
HCS05D/  
Sample  
+25 C  
Sample  
Sample  
Die  
14 Lead SBDIP  
L
H
L
H
H
H
H
o
HCS05K/  
Sample  
+25 C  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
L
H
L
H
H
o
H
HCS05HMSR  
+25 C  
Die  
NOTE: L = Logic Level Low, H = Logic level High  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518747  
File Number 2435.2  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
12345678

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与HCS10HMSR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HCS10K/SAMPLE RENESAS

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 		HCS10K/SAMPLE
HCS10KMSH RENESAS

获取价格

 		IC,LOGIC GATE,3 3-INPUT NAND,CMOS, RAD HARD,FP,14PIN,CERAMIC
HCS10KMSR RENESAS

获取价格

 		HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDFP14, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-14
HCS10M JLWORLD

获取价格

 		Value Applying Rated Voltage
HCS10MS INTERSIL

获取价格

 		Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate
HCS112D INTERSIL

获取价格

 		Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop
HCS112DMSR INTERSIL

获取价格

 		Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop
HCS112HMSR INTERSIL

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 		Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop
HCS112K INTERSIL

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 		Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop
HCS112KMSR INTERSIL

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 		Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop

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