是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP14,.3 |
针数: | 14 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.81 |
系列: | HC/UH | JESD-30 代码: | R-CDIP-T14 |
JESD-609代码: | e0 | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 最大I(ol): | 0.004 A |
功能数量: | 3 | 输入次数: | 3 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP14,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
电源: | 5 V | Prop。Delay @ Nom-Sup: | 22 ns |
传播延迟(tpd): | 22 ns | 认证状态: | Not Qualified |
施密特触发器: | NO | 筛选级别: | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度: | 5.08 mm | 子类别: | Gates |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
总剂量: | 200k Rad(Si) V | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HCS10HMSR | RENESAS |
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HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, UUC14, 2.20 X 2.24 MM, DIE-14 | |
HCS10K/SAMPLE | RENESAS |
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HCS10K/SAMPLE | |
HCS10KMSH | RENESAS |
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IC,LOGIC GATE,3 3-INPUT NAND,CMOS, RAD HARD,FP,14PIN,CERAMIC | |
HCS10KMSR | RENESAS |
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HC/UH SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDFP14, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-14 | |
HCS10M | JLWORLD |
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Value Applying Rated Voltage | |
HCS10MS | INTERSIL |
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Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate | |
HCS112D | INTERSIL |
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Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop | |
HCS112DMSR | INTERSIL |
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Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop | |
HCS112HMSR | INTERSIL |
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Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop | |
HCS112K | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop |