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HCS05MS

更新时间： 2024-02-15 20:24:42
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
7页 110K
描述
Radiation Hardened Hex Inverter with Open Drain

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HCS05MS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL14,.3针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.44Is Samacsys：N
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-CDFP-F14
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.004 A功能数量：6
输入次数：1端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DFP封装等效代码：FL14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：20 ns传播延迟（tpd）：20 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度：2.92 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40总剂量：200k Rad(Si) V
宽度：6.285 mmBase Number Matches：1

HCS05MS 数据手册

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HCS05MS  
Radiation Hardened  
Hex Inverter with Open Drain  
September 1995  
Features  
Pinouts  
14 LEAD CERAMIC DUAL-IN-LINE  
METAL SEAL PACKAGE (SBDIP)  
MIL-STD-1835 CDIP2-T14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
• Total Dose 200K RAD (Si)  
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg  
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day  
(Typ)  
A1  
Y1  
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC  
13 A6  
12 Y6  
11 A5  
10 Y5  
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s  
• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse  
• Latch-Up Free Under Any Conditions  
A2  
Y2  
A3  
Y3  
9
8
A4  
Y4  
• Military Temperature Range: -55oC to +125oC  
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs  
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V  
GND  
• Input Logic Levels  
14 LEAD CERAMIC METAL SEAL  
FLATPACK PACKAGE (FLATPACK)  
MIL-STD-1835 CDFP3-F14, LEAD FINISH C  
TOP VIEW  
- VIL = 30% of VCC Max  
- VIH = 70% of VCC Min  
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH  
A1  
Y1  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
VCC  
A6  
Y6  
Description  
A2  
The Intersil HCS05MS is a Radiation Hardened Hex inverter  
function with open drain outputs. These open drain outputs can  
drive into resistive loads with a separate voltage supply.  
Y2  
A5  
Y5  
A3  
Y3  
A4  
Y4  
The HCS05MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to  
achieve high-speed operation. This device is a member of  
radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.  
GND  
8
The HCS05MS is supplied in a 14 lead Ceramic Flatpack (K suffix)  
or a Ceramic Dual-In-Line Package (D suffix).  
Functional Diagram  
Yn  
An  
Ordering Information  
PART  
NUMBER  
TEMPERATURE SCREENING  
RANGE LEVEL  
PACKAGE  
o
o
HCS05DMSR  
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead SBDIP  
TRUTH TABLE  
OUTPUTS  
INPUTS  
o
o
HCS05KMSR  
-55 C to +125 C Intersil Class  
S Equivalent  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
An  
L
Yn  
o
Z (Note 1)  
H (Note 2)  
HCS05D/  
Sample  
+25 C  
Sample  
Sample  
Die  
14 Lead SBDIP  
H
L
o
HCS05K/  
Sample  
+25 C  
14 Lead Ceramic  
Flatpack  
NOTES:  
1. No pullup resistor  
2. With pullup resistor  
3. L = Low  
o
HCS05HMSR  
+25 C  
Die  
4. H = High  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518829  
File Number 3557.1  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
35  
1234567

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