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HCF25C60

更新时间： 2024-11-04 17:00:47

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TO-220F

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HCF25C60 数据手册

Silicon Controlled Rectifier

对应国外型号

汕头华汕电子器件有限公司

HCF25C60

SCP25C60

█ 主要用途

单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。

█ 极限值（T_j=25℃）

█ 外形图及引脚排列

T_stg——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃

T_j——结温 …………………………………………………………-40~125℃

V_DRM——重复峰值断态电压 …………………………………………600V

IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）……………………………… 25A

I_T(AV)——平均通态电流（半正弦波，T_C=110℃）……………………… 16A

ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,50HZ, 正弦波,不重复) …………… 300A

V_RGM——反向峰值门极电压 ………………………………………………5V

I_FGM——正向峰值门极电流 …………………………………………4.0A

P_GM——峰值门极功耗……………………………………………………5.0W

█ 电参数（T_c=25℃）

参数符号

IDRM

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

重复峰值断态电流

V_AK=V_DRM

Tc=25℃

Tc=125℃

VTM

IGT

峰值通态电压(1)

门极触发电流(2)

1.6

ITM=38A，tp=380us

V_AK=12V（DC）, R_L=30Ω

Tc=25℃

V_AK=12V（DC）, R_L=30Ω

Tc=25℃

VGT

门极触发电压(2)

1.5

V_AK=12V, R_L=3.3KΩ

V_GD

门极不触发电压(1) 0.2

T_c=125℃

I_H

维持电流

IT=500mA, 门极开路

T_c=25℃

(dv/dt)c 最低电压上升率

500

V/us 线性倾斜上升至 VD=VDRM

67%, 门极开路,T_j=125℃

℃/W 结到外壳

Rth(j-c) 热阻

Rth(j-a) 热阻

1.3

℃/W 结到环境

12 3

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