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HC8050

更新时间： 2024-01-05 06:02:28

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	140K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HC8050 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	270
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

HC8050 数据手册

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HC8050

█ NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2W OUTPUT AMPLIFIER PORTABLE RADIO IN CLASS

B PUSH-PULL OPERATION.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Juncttion Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation…………………………………1W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………40V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………25V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………6V

I_C——Collector Current………………………………………1.5A

TO-92

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Collector Cut-off Current

Min Typ

Max

Unit

Test Conditions

ICBO

IEBO

HFE

0.1 μA VCB=35V, IE=0

0.1 μA VEB=6V, IC=0

500

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

VCE=1V, IC=100mA

VCE=1V, IC=800mA

VCE=1V, IC=10mA

IC=800mA, IB=80mA

IC=800mA,IB=80mA

IC=100μA，IE=0

IC=2mA，IB=0

VBE

Base- Emitter Voltage

0.5

1.2

VCE(sat） Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

BVCBO

BVCEO

BVEBO

Base- Emitter Saturation Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter- Base Breakdown Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

IE=100μA，IC=0

100

MHz VCE=10V, IC=50mA

█ hFE Classification

85—160

120—200

160—300

270—500

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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HC8050S	HUASHAN	NPN SILICON TRANSISTOR	获取价格
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