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HC6856/2WSHAT

更新时间: 2024-09-24 18:52:15
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 558K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36

HC6856/2WSHAT 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DFP
包装说明:DFP, TPAK36,1.5,25针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.37
最长访问时间:40 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDFP-F36JESD-609代码:e0
长度:16.51 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:36字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装等效代码:TPAK36,1.5,25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535V;38534K;883S座面最大高度:4.191 mm
最大待机电流:0.0004 A最小待机电流:2.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.0075 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED总剂量:1M Rad(Si) V
宽度:16.002 mmBase Number Matches:1

HC6856/2WSHAT 数据手册

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