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HC6856/2WBRAT

更新时间: 2024-09-24 20:26:19
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 1139K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CQFP36

HC6856/2WBRAT 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Active
包装说明:GQFF, TPAK36,1.5,25Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:40 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQFP-F36JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:36
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:GQFF封装等效代码:TPAK36,1.5,25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, GUARD RING
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.0004 A最小待机电流:2.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.0075 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:0.635 mm端子位置:QUAD
总剂量:200k Rad(Si) VBase Number Matches:1

HC6856/2WBRAT 数据手册

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