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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DFP |
| 包装说明： | DFP, FL36,.6,25 | 针数： | 36 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-CDFP-F36 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 16.002 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | FL36,.6,25 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535V;38534K;883S |
| 座面最大高度： | 3.5052 mm | 最大待机电流： | 0.0003 A |
| 最小待机电流： | 2.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 0.635 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总剂量： | 1M Rad(Si) V | 宽度： | 16.002 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HC6364/1RQHCT | ETC | x8 SRAM |
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| HC6364/1RQHDC | ETC | x8 SRAM |
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| HC6364/1RQHDT | ETC | x8 SRAM |
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| HC6364/1RQHZC | ETC | x8 SRAM |
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| HC6364/1RQHZT | ETC | x8 SRAM |
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| HC6364/1RSHAC | ETC | x8 SRAM |
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