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HC5200

更新时间： 2024-09-27 17:01:55

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TO_3P

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HC5200 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

2SC5200

HC5200

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

音频功率放大。与HA1943 互补。

TO-3P

█ 极限值（T_a=25 ℃）

T_stg——贮存温度………………………………… -55~150℃

T_j——结温…………………………………………… 150℃

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）…………………… 150W

V_CBO——集电极—基极电压……………………………… 230V

V_CEO——集电极—发射极电压…………………………… 230V

V_EBO——发射极—基极电压………………………………… 5V

I_C——集电极电流（DC）…………………………………… 15A

I_C——集电极电流（脉冲）…………………………………… 30A

IB——基极电流…………………………………………… 1.5A

█ 电参数（T_a=25℃）

1―基极，B

2―集电极，C

3―发射极，E

参数符号

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

符号说明

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

最小值典型值最大值单位

测试条件

230

I_C=100μA, I_E=0

I_C=50mA, I_B=0

I_E=100μA，I_C=0

μA V_CB=230V, I_E=0

μA V_EB=5V, I_C=0

V_CE=5V, I_C=1A

IEBO

160

HFE（1）直流电流增益

HFE（2）

V_CE=5V, I_C=7A

1.5

V_CE=5V, I_C=7A

VBE

基极—发射极电压

I_C=8A, I_B=0.8A

VCE(sat）集电极—发射极饱和电压

MHz

V_CE=5V,I_C=1A

特征频率

200

V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

Cob

共基极输出电容

█HFE（1）分档及其标志

55—110

80—160

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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HC52020-CKM	FOXCONN	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal,
HC52020-KL	FOXCONN	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal,
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