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HC4550

更新时间： 2024-04-09 19:02:25

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TO_220F

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HC4550 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

2SC4550

HC4550

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高速开关应用。一般放大及DC/DC 转换器等。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_{s t g}——贮存温度………………………………… -55~150℃

T _j——结温…………………………………………… 1 5 0 ℃

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）…………………… 30W

V_CBO——集电极—基极电压…………………………………… 100V

V_CEO——集电极—发射极电压………………………………… 60V

V_EBO——发射极—基极电压……………………………………… 7V

I_C——集电极电流（DC）………………………………………… 7A

IB——基极电流………………………………………………… 3.5A

VISO——绝缘击穿电压（RMS，交流 1 分钟）…………………1500V

█ 电参数（T_a=25℃）

1―基极，B

2―集电极，C

3―发射极，E

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BV_CEO(SUS)集电极—发射极维持电压 60

BV_CEX(SUS)集电极—发射极维持电压 60

V I_C=4A I_B=0.4A,L=1mH

V I_C=4A,I_B1=-I_B2=0.4A,

V_BE(OFF)=-1.5V,L=180μH

μA V_CB=60V, I_E=0

I_CBO

I_CER

集电极—基极截止电流

集电极—发射极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

mA V_CE=60V, R_BE=50Ω,Ta=125℃

μA V_CE=60V,V_BE(OFF)=-1.5V

μA V_EB=5V, I_C=0

I_CEX1

I_EBO

H_FE（1）

H_FE（2）

H_FE（3）

100

V_CE=2V, I_C=0.7A

直流电流增益

100 200

400

V_CE=2V, I_C=1.5A

直流电流增益

V_CE=2V, I_C=4A

V_CE（sat）1集电极—发射极饱和压降

V_CE（sat）2集电极—发射极饱和压降

0.3

0.5

1.2

1.5

V I_C=4.0A, I_B=0.2A

V I_C=6.0A, I_B=0.3A

V I_C=4.0A, I_B=0.2A

V I_C=6.0A, I_B=0.3A

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1.0MHz

MHz V_CE=10V, I_C=1A

V_BE（sat）1

V_BE（sat）2

C_Ob

基极—发射极饱和压降

输出电容

100

150

0.1

1.0

0.1

f_T

特征频率

t_on

0.3 μs

1.5 μs

0.3 μs

I_C=4A, RL=12.5Ω

I_B1=-I_B2=0.2A, V_CC≈50V

参考测试电路

导通时间

t_stg

贮存时间

t_f

下降时间

12 3 4

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