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HBU407

更新时间： 2024-10-28 05:34:55

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	149K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HBU407 数据手册

NPN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HBU407

█ APPLICATIONS

High Voltage Swltching .

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-220

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature…………………………………150℃

P_C——Collector Dissipation（Tc=25℃）……………………………60W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………………330V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………………150V

V_EBO——Emitter-Base Voltage………………………………………6V

I_C——Collector Current（DC）………………………………………7A

I_CP——Collector Curren（t Pulse）……………………………………10A

Ib——Base Current………………………………………………4A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter，E

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min Typ Max Unit

mA V_CE=330V, V_BE=0

100 μA V_CE=200V, V_BE=0

Test Conditions

ICES（1^）Collector Cut-off Current

ICES（2）

ICES（3）

V_CE=200V, V_BE=0（Tc=125℃）

IEBO

HFE

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

mA V_EB=6V, I_C=0

V_CE=1V, I_C=5A

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage

tOFF

I_C=5A, I_B=0.5A

1.2 V

Current Gain-Bandwidth Product

Turn OFF Time

MHz V_CE=10V,I_C=0.5A

0.75 μS I_C=5A, I_B=0.5A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HBU407H	HUASHAN	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
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HBU470KBBCF0KR	VISHAY	获取价格	CAP CER 47PF 2KV N750 RADIAL
HBU470KBBCRAKR	VISHAY	获取价格	CAP CER 47PF 2KV N750 RADIAL
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HBU471	VISHAY	获取价格	Ceramic High Voltage Disc Capacitors, Class 1
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