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HBU406

更新时间： 2024-10-28 05:34:55

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	507K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HBU406 数据手册

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HBU406

█ APPLICATIONS

High Voltage Swltching .

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-220

T_stg— — Storage Temperature⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -55~150℃

T_j— — Junction Temperature⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 150℃

P_C— — Collector Dissipation（Tc=25℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 60W

V_CBO— — Collector-Base Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 400V

V_CEO— — Collector-Emitter Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 200V

V_EBO— — Emitter-Base Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 6V

I_C— — Collector Current（DC）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 7A

I_CP— — Collector Curren（t Pulse）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 10A

Ib— — Base Current⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 4A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter，E

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min Typ Max Unit

100 μA

Test Conditions

V_CE=400V, V_EB=0

V_CE=250V, V_EB=0

mA V_CE=250V, V_EB=0（Tc=125℃）

ICES（1） Collector Cut-off Current

ICES（2）

ICES（3）

IEBO

HFE

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

V_EB=6V, I_C=0

V_CE=1V, I_C=5A

I_C=5A, I_B=0.5A

V_CE=5V, I_C=0.5A

V_CE=10V,I_C=0.5A

VCE(sat) Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(on) Base-Emitter On Voltage

1.2 V

MHz

Current Gain-Bandwidth Product

Turn OFF Time

tOFF

0.75 μS I_C=5A, I_B=0.5A

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