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HBTA12A60

更新时间： 2024-10-28 05:34:55
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华汕 - HUASHAN 可控硅三端双向交流开关
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描述
INNER INSULATED TYPE TRIAC (II TO-220 PACKAGE)

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HBTA12A60 数据手册

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HBTA12A60  
INNER INSULATED TYPE TRIAC (II TO-220 PACKAGE)  
█ Features  
* Repetitive Peak Off-State Voltage: 600V  
* R.M.S On-state Current(IT(RMS)=12A)  
* High Commutation dv/dt  
█ General Description  
The Triac HBTA8A60 is suitable for AC switching application, phase  
control application such as heater control, motor control, lighting control,  
and static switching relay.  
█ Absolute Maximum Ratings（Ta=25℃）  
Tstg— — Storage Temperature⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -40~125℃  
Tj — — Operating Junction Temperature ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ -40~125℃  
PGM— — Peak Gate Power Dissipation⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 5W  
VDRM— — Repetitive Peak Off-State Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 600V  
IT（RMS）— — R.M.S On-State Current（Ta=79℃）⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 12A  
VG M— — Peak Gate Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 10V  
I G M— — Peak Gate Current⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 2.0A  
ITSM— — Surge On-State Current (One Cycle, 50/60Hz,Peak,Non-Repetitive)⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 119/130A  
V — — RMS Isolation Breakdown Voltage⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ ⋯ 2500V  
ISO  
█ Electrical Characteristics（Ta=25℃）  
Symbol  
Items  
Min.  
Max.  
Unit  
Conditions  
VD=VDRM, Single Phase,Half  
Wave, TJ=125℃  
IDRM  
Repetitive Peak Off-State Current  
Peak On-State Voltage  
2.0  
mA  
V
IT=12A, Inst. Measurement  
VTM  
1.4  
30  
Gate Trigger Current（Ⅰ）  
Gate Trigger Current（Ⅱ）  
Gate Trigger Current（Ⅲ）  
Gate Trigger Voltage（Ⅰ）  
Gate Trigger Voltage（Ⅱ）  
I+GT1  
I- GT1  
I-GT3  
V+ GT1  
V- GT1  
V- GT3  
VGD  
mA VD=6V, RL=10 ohm  
mA VD=6V, RL=10 ohm  
mA VD=6V, RL=10 ohm  
30  
30  
1.5  
1.5  
1.5  
V
V
V
V
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
Gate Trigger Voltage（Ⅲ）  
Non-Trigger Gate Voltage  
Critical Rate of Rise of Off-State  
Voltage at Commutation  
0.2  
10  
TJ=125℃,VD=1/2VDRM  
TJ=125℃,VD=2/3VDRM  
(di/dt)c=-4.0A/ms  
(dv/dt)c  
V/µS  
Thermal Resistance  
Holding Current  
Junction to case  
Rth(j-c)  
IH  
3.3 ℃/W  
20  
mA  
123

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