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HBT139F-600

更新时间： 2024-10-28 05:34:55
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华汕 - HUASHAN 可控硅三端双向交流开关
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3页 197K
描述
INSULATED TYPE TRIAC (TO-220F PACKAGE)

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HBT139F-600 数据手册

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HBT139F-600  
INSULATED TYPE TRIAC (TO-220F PACKAGE)  
█ Features  
* Repetitive Peak Off-State Voltage: 600V  
* R.M.S On-State Current(IT(RMS)=16A)  
* High Commutation dv/dt  
*Isolation Voltage（VISO=1500V AC）  
TO-220F  
█ General Description  
This device is fully isolated package suitable for AC switching application,  
phase control application such as fan speed and temperature modulation  
control, lighting control and static switching relay.  
1
2
3
█ Absolute Maximum Ratings（Ta=25℃）  
Tstg——Storage Temperature………………………………………………………………… -40~150℃  
Tj ——Operating Junction Temperature …………………………………………………… -40~125℃  
PGM——Peak Gate Power Dissipation………………………………………………………………… 5W  
VDRM——Repetitive Peak Off-State Voltage………………………………………………………… 600V  
IT（RMS）——R.M.S On-State Current（Tc=41℃）………………………………………………… 16A  
VGM——Peak Gate Voltage…………………………………………………………………………… 10V  
IGM——Peak Gate Current…………………………………………………………………………… 2.0A  
ITSM——Surge On-State Current (One Cycle, 50/60Hz,Peak,Non-Repetitive) ………………… 145/155A  
VISO——Isolation Breakdown Voltage（R.M.S，A.C.1minute）………………………………………1500V  
█ Electrical Characteristics（Ta=25℃）  
Symbol  
Items  
Min  
Max Unit  
Conditions  
VD=VDRM,Single Phase,Half  
Wave, TJ=125℃  
IDRM  
Repetitive Peak Off-State Current  
2.0  
mA  
Peak On-State Voltage  
IT=20A, Inst. Measurement  
VTM  
I+GT1  
I-GT1  
I-GT3  
V+GT1  
V-GT1  
V-GT3  
VGD  
1.6  
25  
V
mA  
mA  
mA  
V
Gate Trigger Current（Ⅰ）  
Gate Trigger Current（Ⅱ）  
Gate Trigger Current（Ⅲ）  
Gate Trigger Voltage（Ⅰ）  
Gate Trigger Voltage（Ⅱ）  
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
VD=6V, RL=10 ohm  
TJ=125℃,VD=1/2VDRM  
25  
25  
1.5  
1.5  
1.5  
V
Gate Trigger Voltage（Ⅲ）  
V
Non-Trigger Gate Voltage  
Critical Rate of Rise of Off-State  
Voltage at Commutation  
0.2  
10  
V
(dv/dt)c  
V/µS TJ=125℃,VD=2/3VDRM (di/dt)c=-6A/ms  
Holding Current  
IH  
20  
mA  
Thermal Resistance  
Junction to case  
Rth(j-c)  
3.5 ℃/W  
123

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