Datasheet > HBT138F-600

HBT138F-600

更新时间： 2024-10-28 10:58:47

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		可控硅三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
3页	198K
描述
INSULATED TYPE TRIAC (TO-220F PACKAGE)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HBT138F-600 数据手册

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HT138F-600

INSULATED TYPE TRIAC (TO-220F PACKAGE)

█ Features

* Repetitive Peak Off-State Voltage: 600V

* R.M.S On-State Current(I_T(RMS)=12A)

* High Commutation dv/dt

*Isolation Voltage（V^ISO=1500V AC）

TO-220F

█ General Description

This device is fully isolated package suitable for AC switching application,

phase control application such as fan speed and temperature modulation

control, lighting control and static switching relay.

█ Absolute Maximum Ratings（T_a=25℃）

T_stg——Storage Temperature………………………………………………………………… -40~150℃

T_j——Operating Junction Temperature …………………………………………………… -40~125℃

P_GM——Peak Gate Power Dissipation………………………………………………………………… 5W

V_DRM——Repetitive Peak Off-State Voltage………………………………………………………… 600V

IT（RMS）——R.M.S On-State Current（Tc=58℃）………………………………………………… 12A

V_GM——Peak Gate Voltage…………………………………………………………………………… 10V

I_GM——Peak Gate Current…………………………………………………………………………… 2.0A

ITSM——Surge On-State Current (One Cycle, 50/60Hz,Peak,Non-Repetitive) ……………… 100/110A

V^ISO——Isolation Breakdown Voltage（R.M.S，A.C.1minute）………………………………………1500V

█ Electrical Characteristics（T_a=25℃）

Symbol

Items

Min

Max Unit

Conditions

V_D=V_DRM,Single Phase,Half

Wave, T_J=125℃

I_DRM

Repetitive Peak Off-State Current

2.0

Peak On-State Voltage

I_T=15A, Inst. Measurement

V_TM

I+_GT1

I-_GT1

I-_GT3

V+_GT1

V-_GT1

V-_GT3

V_GD

1.65

Gate Trigger Current（Ⅰ）

Gate Trigger Current（Ⅱ）

Gate Trigger Current（Ⅲ）

Gate Trigger Voltage（Ⅰ）

Gate Trigger Voltage（Ⅱ）

V_D=6V, R_L=10 ohm

T_J=125℃,V_D=1/2V_DRM

1.5

Gate Trigger Voltage（Ⅲ）

Non-Trigger Gate Voltage

Critical Rate of Rise of Off-State

Voltage at Commutation

0.2

(dv/dt)c

V/µS T_J=125℃,V_D=2/3V_DRM(di/dt)c=-4A/ms

Holding Current

I_H

Thermal Resistance

Junction to case

Rth(j-c)

3.7 ℃/W

12 3

中文翻译

下载PDF

与HBT138F-600相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HBT139DE	HSMC	获取价格	Three Quadrant Triac
HBT139F-600	HUASHAN	获取价格	INSULATED TYPE TRIAC (TO-220F PACKAGE)
HBT151	HUASHAN	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
HBT169M	ETC	获取价格	THYRISTORS
HBT169M	KEXIN	获取价格	Thyristors
HBT3	ETC	获取价格	Mouldede Box And Lid
HBTA12A60	HUASHAN	获取价格	INNER INSULATED TYPE TRIAC (II TO-220 PACKAGE)
HBTA16A60	HUASHAN	获取价格	INNER INSULATED TYPE TRIAC (II TO-220 PACKAGE)
HBTA20A60	HUASHAN	获取价格	INNER INSULATED TYPE TRIAC (II TO-220 PACKAGE)
HBTA6A60	HUASHAN	获取价格	INNER INSULATED TYPE TRIAC (II TO-220 PACKAGE)

与HBT138F-600相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

13
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HBT138F-600

HBT138F-600 数据手册

与HBT138F-600相关器件

与HBT138F-600相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HBT138F-600

HBT138F-600 数据手册

与HBT138F-600相关器件

与HBT138F-600相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？