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HBF421

更新时间： 2024-10-29 03:41:15

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HSMC		晶体晶体管局域网
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4页	49K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HBF421 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.83 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

HBF421 数据手册

Spec. No. : HA200214

Issued Date : 2002.08.01

Revised Date : 2004.06.18

Page No. : 1/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

HBF421

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description

Video B-class Power stages in TV-receivers

TO-92

Absolute Maximum Ratings

• Maximum Temperatures

Storage Temperature ........................................................................................................................... -55 ~ +150 °C

Junction Temperature ................................................................................................................... +150 °C Maximum

• Maximum Power Dissipation

Total Power Dissipation (Ta=25°C)............................................................................................................... 830 mW

• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)

V_CBOCollector to Base Voltage ........................................................................................................................ -300 V

V_CEOCollector to Emitter Voltage ..................................................................................................................... -300 V

V_EBOEmitter to Base Voltage ............................................................................................................................... -5 V

I_CCollector Current ........................................................................................................................................ -50 mA

_BMPeak Base Current ................................................................................................................................... -50 mA

I_CMPeak Collector Current ........................................................................................................................... -100 mA

Electrical Characteristics (Ta=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Min.

-300

-5

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

I_C=-100uA, I_E=0

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-10uA, I_C=0

V_CB=-200V, I_E=0

V_EB=-5V, I_E=0

-100

-0.6

I_EBO

*V_CE(sat)

*h_FE

I_C=-30mA, I_B=-3mA

V_CE=-20V, I_C=-25mA

f_T

MHz

I_E=-10mA, V_CE=-10V, f=100MHz

*Pulse Test: Pulse Width ≤380us, Duty Cycle≤2%

HBF421

HSMC Product Specification

12 3 4

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