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HBD436

更新时间： 2024-10-28 10:57:23

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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2页	147K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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HBD436 数据手册

PN P S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HBD436

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear And Switching Applicatione.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-220

T_stg——Storage Temperature………………………… -65~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 40W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… -32V

V_CES——Collector-Emitter Voltage……………………… -32V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… -5V

I_C——Collector Current（DC）……………………………… -4A

I_C——Collector Current（Pulse）………………………………-7A

I_B——Base Current（DC）……………………………………-1A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter, E

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter-Base Cutoff Current

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

BVCEO(SUS)

ICBO

-32

I_C=-100mA, I_B=0

-100 μA V_CB=-32V, I_E=0

-1 mA

V_EB=-5V, I_C=0

-100 μA V_CE=-32V, V_BE=0

V_CE=-5V, I_C=-10mA

IEBO

ICES

HFE（1）

*HFE（2）

*HFE（3）

*VCE(sat1)

*VBE(on)

40 140

85 140

V_CE=-1V, I_C=-500mA

V_CE=-1V, I_C=-2A

I_C=-2A, I_B=-0.2A

V_CE=-1V,I_C=-2A,

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base- Emitter On Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

-0.2 -0.5 V

-1.1 V

MHz Ic=-250mA, VCE=-1V

*Pulse Test: PW=300μS,Duty Cycle=1.5% Pulsed

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