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HBD435

更新时间： 2024-10-28 10:57:23

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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2页	146K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HBD435 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HBD435

█ APPLICATIONS

Medium Power Linear And Switching Applicatione.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-220

T_stg——Storage Temperature………………………… -65~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 40W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… 32V

V_CES——Collector-Emitter Voltage……………………… 32V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 5V

I_C——Collector Curren（t DC）………………………………… 4A

I_C——Collector Current（Pulse）………………………………7A

I_B——Base Current（DC）………………………………………1A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter, E

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter-Base Cutoff Current

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

BVCEO(SUS)

ICBO

I_C=100mA, I_B=0

100 μA V_CB=32V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

100 μA V_CE=32V, V_BE=0

V_CE=5V, I_C=10mA

IEBO

ICES

HFE（1）

*HFE（2）

*HFE（3）

*VCE(sat1)

*VBE(on)

40 130

85 140

V_CE=1V, I_C=500mA

V_CE=1V, I_C=2A

I_C=2A, I_B=0.2A

V_CE=1V,I_C=2A,

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base- Emitter On Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

0.2 0.5 V

1.1 V

MHz Ic=250mA, VCE=1V

*Pulse Test: PW=300μS,Duty Cycle=1.5% Pulsed

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