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HBD241C

更新时间： 2024-10-28 05:34:51
品牌 Logo 应用领域
华汕 - HUASHAN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 106K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HBD241C 数据手册

  
NPN SILICON TRANSISTOR  
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.  
HBD241C  
█ APPLICATIONS  
Medium Power Linear And Switching Applicatione.  
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
TO-220  
Tstg——Storage Temperature………………………… -65~150℃  
Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃  
PC——Collector Dissipation（Tc=25℃）…………………… 40W  
VCER——Collector-Emitter Voltage……………………… 115V  
VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 100V  
VEBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 5V  
IC——Collector Curren（t DC）………………………………… 3A  
IC——Collector Current（Pulse）………………………………5A  
IB——Base Current……………………………………………1A  
1―Base，B  
2―Collector，C  
3―Emitter, E  
█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Symbol  
Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
BVCEO(SUS)  
ICEO  
100  
V
IC=30mA, IB=0  
VCE=60V, IB=0  
VEB=5V, IC=0  
300 nA  
mA  
IEBO  
ICES  
HFE（1）  
HFE（2）  
VCE(sat)  
VBE(on)  
1
200 μA VCE=100V, VBE=0  
VCE=4V, IC=1A  
DC Current Gain  
25  
10  
VCE=4V, IC=3A  
IC=3A, IB=0.6A  
VCE=4V,IC=3A,  
Collector- Emitter Saturation Voltage  
Base- Emitter On Voltage  
1.2 V  
1.8 V  
1

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