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HBD196

更新时间： 2024-10-28 05:34:51

品牌	Logo	应用领域
华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	171K
描述
PNP SILICON TRANSISTOR

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HBD196 数据手册

PN P S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HBD196

█ APPLICATIONS

. Audio Power Amplifie.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-126ML

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 10W

P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）…………………… 1.5W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… -40V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… -20V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… -8V

I_CP——Collector Curren（t Pulse）…………………………… -10A

I_C——Collector Current（DC）……………………………… -6A

Ib——Base Current……………………………………………-1A

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

BVCEO

ICBO

IEBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage -20

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

I_C=-10mA, I_B=0

-100 nA V_CB=-40V, I_E=0

-100 nA V_EB=-8V, I_C=0

HFE（1） DC Current Gain

HFE（2） DC Current Gain

140

600

V_CE=-2V, I_C=-0.5A

V_CE=-2V, I_C=-5A

I_C=-6A, I_B=-0.15A

V_CE=-2V, I_C=-4A

VCE(sat)

VBE

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

-1 V

-1.5 V

170

MHz V_CE=-2V,I_C=-500mA

pF V_CB=-10V, I_E=0，f=1MHz

Cob

Pulse Test：PW=10Ms（max）,Duty Cycle=30%（min）

█ h^FEClassification

140—240

200—400

300—600

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