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HBD195

更新时间： 2024-10-28 05:34:51

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	164K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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HBD195 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

HBD195

█ APPLICATIONS

. .Medium Power Amplifie.

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-126ML

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 10W

P_C——Collector Dissipation（T_A=25℃）…………………… 1.5W

V_CBO——Collector-Base Voltage………………………… 50V

V_CES——Collector-Emitter Voltage……………………… 40V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage……………………… 20V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 8V

I_CP——Collector Current（Pulse）…………………………… 10A

I_C——Collector Curren（t DC）………………………………… 5A

Ib——Base Current……………………………………………1A

1―Emitter，E

2―Collector，C

3―Base，B

█ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Min

Typ

Max Unit

Test Conditions

BVCEO

ICBO

IEBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage 20

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

I_C=10mA, I_B=0

100 nA V_CB=40V, I_E=0

100 nA V_EB=8V, I_C=0

HFE（1） DC Current Gain

HFE（2） DC Current Gain

140

600

V_CE=2V, I_C=0.5A

V_CE=2V, I_C=5A

I_C=6A, I_B=0.15A

V_CE=2V, I_C=4A

VCE(sat)

VBE

Collector- Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

1.5 V

100

MHz V_CE=2V,I_C=500mA

pF V_CB=10V, I_E=0，f=1MHz

Cob

Pulse Test：PW=10Ms（max）,Duty Cycle=30%（min）

█ h^FEClassification

140—240

200—400

300—600

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