HB56UW3272ETK-5F

更新时间： 2024-01-07 08:21:45

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
27页	212K
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256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module (36 pcs of 16M × 4 components)

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HB56UW3272ETK-5F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	53.34 mm	最大待机电流：	0.028 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	2.44 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

HB56UW3272ETK-5F 数据手册

HB56UW3272ETK-F

256MB Buffered EDO DRAM DIMM

32-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module

(36 pcs of 16M × 4 components)

E0100H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1124A (Z))

Jan. 31, 2001

Description

The HB56UW3272ETK belongs to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family , and has been

developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The

HB56UW3272ETK is 32 M × 72 Dynamic RAM Module, mounted 36 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165405) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-bit line driver sealed in TSSOP package. The

HB56UW3272ETK offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode.An outlineof

the HB56UW3272ETK is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56UW3272ETK

makes high density mounting possible without surface mount technology. The HB56UW3272ETK provides

common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the module

board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)

Outline : 133.35 mm (Length) × 53.34 mm (Height) × 4.00 mm (Thickness)

Lead pitch : 1.27 mm

•

Single 3.3 V supply: 3.3 ± 0.3V

High speed

Access time: t_RAC= 50 ns/60 ns (max)

Access time: t_CAC= 18 ns/20 ns (max)

Low power dissipation

•

Active mode: 8.78 W/7.49 W (max)

Standby mode (TTL): 295.2 mW (max)

JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM

Buffered input except RAS and DQ

4-byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)

EDO page mode capability

•

This Product become EOL in August, 2005.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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