是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM168 |
针数: | 168 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.81 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | 内存密度: | 2415919104 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 72 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM168 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 53.34 mm | 最大待机电流: | 0.028 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 2.44 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HB56UW3272ETK-6 | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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HB56UW3272ETK-6F | ELPIDA |
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256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword × 72-bi |
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HB56UW3272ETK-F | ELPIDA |
获取价格 |
256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword × 72-bi |
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HB56UW3272ETL-5 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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HB56UW3272ETL-6 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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HB56UW3273E-6A | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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HB56UW3273E-7A | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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HB56UW3273EJ-6A | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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HB56UW3273EJ-7A | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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HB56UW432D-5 | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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