是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIMM | 包装说明: | DIMM, DIMM168 |
针数: | 168 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.78 | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 |
内存密度: | 1207959552 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 168 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX72 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM168 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 31.75 mm |
最大待机电流: | 0.019 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 2.35 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HB56UW1673E-6 | HITACHI |
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EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168 | |
HB56UW1673E-6A | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW1673E-6F | ELPIDA |
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128MB Buffered EDO DRAM DIMM 16-Mword × 72-bi | |
HB56UW1673E-7A | ETC |
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x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW1673E-F | ELPIDA |
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128MB Buffered EDO DRAM DIMM 16-Mword × 72-bi | |
HB56UW1673EJN-5 | HITACHI |
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EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168 | |
HB56UW1673EJN-6 | HITACHI |
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EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE PACKAGE-168 | |
HB56UW1673EJN-6A | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW1673EJN-7A | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module | |
HB56UW1673EN-6A | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |