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HB52D48GB-B6F

更新时间： 2024-01-20 15:29:13

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
23页	139K
描述
32 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 4-Mword × 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 4 M × 16 components) PC100 SDRAM

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HB52D48GB-B6F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,20	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	长度：	42 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	4MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	30 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.8 mm
Base Number Matches：	1

HB52D48GB-B6F 数据手册

HB52D48GB-F

32 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM

4-Mword × 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(4 pcs of 4 M × 16 components)

PC100 SDRAM

E0011H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1149A (Z))

Jan. 19, 2001

Description

The HB52D48GB is a 4M × 64 × 1 banks Synchronous Dynamic RAM Micro Dual In-line Memory Module

(Micro DIMM), mounted 4 pieces of 64-Mbit SDRAM (HM5264165FTT) sealed in TSOP packageand 1 piece

of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect (PD). An outline of the product is 144-pin Zig Zag

Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, it makes high density mounting possible without

surface mount technology. It provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted

beside TSOP on the module board.

Features

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type (dual lead out)

⎯ Outline: 38.00 mm (Length) × 30.00 mm (Height) × 3.80 mm (Thickness)

⎯ Lead pitch: 0.50 mm

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 100 MHz (max)

LVTTL interface

Data bus width: × 64 Non parity

Single pulsed RAS

4 Banks can operates simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length : 1/2/4/8/full page

2 variations of burst sequence

⎯ Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)

⎯ interleave (BL = 1/2/4/8)

This Product became EOL in October, 2005.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HB52D48GB-B6FL	ELPIDA	32 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 4-Mword × 6	获取价格
HB52D48GB-F	ELPIDA	32 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 4-Mword × 6	获取价格
HB52D88GB-A6F	ELPIDA	64 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 8-Mword ´ 6	获取价格
HB52D88GB-A6FL	ELPIDA	64 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 8-Mword ´ 6	获取价格
HB52D88GB-B6F	ELPIDA	64 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 8-Mword ´ 6	获取价格
HB52D88GB-B6F	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 8MX16, 6ns, CMOS, MICRO, DIMM-144	获取价格

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