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HB52D168GB-B6B

更新时间： 2024-02-21 00:33:21

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器 PC 时钟
页数	文件大小	规格书
19页	127K
描述
128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M × 16 components) PC133/100 SDRAM

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HB52D168GB-B6B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HB52D168GB-B6B 数据手册

HB52F168GB-B

HB52D168GB-B

128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM

16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(4 pcs of 16 M × 16 components)

PC133/100 SDRAM

E0008H10 (1st edition)

(Previous ADE-203-1219A (Z))

Jan. 19, 2001

Description

The HB52F168GB and HB52D168GB are a 16M × 64 × 1 banks Synchronous Dynamic RAM Micro Dual

In-line Memory Module (Micro DIMM), mounted 4 pieces of 256-Mbit SDRAM (HM5225165BTT) sealed

in TSOP package and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect (PD). An outline of

the products is 144-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, they make high

density mounting possible without surface mount technology. They provide common data inputs and outputs.

Decoupling capacitors are mounted beside TSOP on the module board.

Features

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type (dual lead out)

 Outline: 38.00 mm (Length) × 30.00 mm (Height) × 3.80 mm (Thickness)

 Lead pitch: 0.50 mm

•

3.3 V power supply

Clock frequency: 133/100 MHz (max)

LVTTL interface

Data bus width: × 64 Non parity

Single pulsed RAS

4 Banks can operates simultaneously and independently

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

Programmable burst length: 1/2/4/8

2 variations of burst sequence

 Sequential

 Interleave

This product became EOL in September, 2002.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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