HAT3018RJ

更新时间： 2024-11-28 07:02:47

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管局域网
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16页	148K
描述
Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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HAT3018RJ 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	其他特性：	AVALANCHE RATED
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT3018R, HAT3018RJ

Silicon N/P Channel Power MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G0127-0100Z

Rev.1.00

Oct.20.2003

Features

•

Low on-resistance

Capable of 4.5 V gate drive

High density mounting

“J” is for Automotive application

High temperature D-S leakage guarantee

Avalanche rating

Outline

SOP-8

7 8

D D

1, 3

2, 4

Source

Gate

5, 6, 7, 8 Drain

S 3

MOS1

Nch

MOS2

Pch

Rev.1.00, Oct.20.2003, page 1 of 15

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HAT3018RJ-EL-E	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,60V V(BR)DSS,6A I(D),SO
HAT3019R	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs and IGBT for PDP
HAT3019R-EL-E	RENESAS	获取价格	Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3021R	RENESAS	获取价格	Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching
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HAT3029R	RENESAS	获取价格	Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching
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