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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HAT3018R | RENESAS |
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Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT3018RJ | RENESAS |
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Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT3018RJ-EL-E | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,60V V(BR)DSS,6A I(D),SO |
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| HAT3019R | RENESAS |
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Power MOSFETs and IGBT for PDP |
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| HAT3019R-EL-E | RENESAS |
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Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT3021R | RENESAS |
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Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT3021R-EL-E | RENESAS |
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Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT3029R | RENESAS |
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Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT3029R-EL-E | RENESAS |
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Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT3031R | RENESAS |
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Power MOSFETs and IGBT for PDP |
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