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HAT3004R

更新时间: 2024-11-25 07:02:47
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
11页 123K
描述
Silicon N Channel / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

HAT3004R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.31Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.5 A最大漏极电流 (ID):5.5 A
最大漏源导通电阻:0.11 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MS-012AAJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W最大脉冲漏极电流 (IDM):44 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

HAT3004R 数据手册

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HAT3004R  
Silicon N Channel / P Channel Power MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1196-1100  
(Previous: ADE-208-500I)  
Rev.11.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
Capable of 4 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Outline  
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D  
(Package name: SOP-8 <FP-8DAV> )  
7 8  
D D  
5 6  
D D  
5
6
7
2
G
4
G
8
1, 3  
2, 4  
5, 6, 7, 8  
Source  
Gate  
Drain  
4
3
2
1
S 1  
S 3  
Nch  
Pch  
Rev.11.00 Sep 07, 2005 page 1 of 10  

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