HAT2299WP

更新时间： 2024-11-25 03:41:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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HAT2299WP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HAT2299WP 数据手册

HAT2299WP

Silicon N Channel Power MOS FET

Power Switching

REJ03G1528-0100

Rev.1.00

Mar 20, 2007

Features

•

Low on-resistance

Low drive current

High density mounting

Outline

RENESAS Package code: PWSN0008DA-A

(Package name: WPAK)

7 8

D D D D

1, 2, 3 Source

4 Gate

5, 6, 7, 8 Drain

S S

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

150

±30

Unit

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

Body-drain diode reverse drain current

Note1

Body-drain diode reverse drain peak current

Avalanche current

I_{DR (pulse)}

Note3

I_AP

Note3

Avalanche energy

E_AR

14.7

°C/W

°C

Channel dissipation

Pch ^Note2

θch-c

Tch

Channel to case thermal impedance

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. STch = 25°C, Tch ≤ 150°C

Rev.1.00 Mar 20, 2007 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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