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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SOP |
| 包装说明： | 3.95 X 4.90 MM, PLASTIC, FP-8DAV, SOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.35 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HAT2020R-EL-E | RENESAS | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT2022R | RENESAS | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT2022R | HITACHI | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| HAT2022REL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.025ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| HAT2022REL | RENESAS | 11A, 30V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| HAT2022R-EL-E | RENESAS | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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